產品展示
PRODUCTS
產品描述
一、概述YXPHM系列功率模塊簡介
南京研旭公司最新研發(fā)推出了YXPHM系列工業(yè)級電力電子功率模塊，YXPHM系列模塊是面向高校實驗室、科研院所以及成品電力電子制造廠商的系列功率拓撲模塊。具備穩(wěn)定的可靠性和良好的擴展性，種類豐富，囊括了現(xiàn)今主流的電力電子拓撲結構。外殼采用透明的亞克力板材，美觀實用，用戶可以方便觀察內部的硬件結構，簡潔的輸入輸出設計，減去用戶對模塊中間環(huán)節(jié)的困擾，讓用戶更專注的投入到核心研發(fā)中。
YXPHM系列采用基于模型設計的理念，脫胎于研旭成熟產品光伏并網(wǎng)逆變器與風機變流器等成熟產品，又結合了研旭多年的模塊化組件與開放式平臺研發(fā)經(jīng)驗，對該拓撲結構與驅動電路、傳感器電路、信號處理電路進一步集成，同時提供實際控制器接口、快速原型控制器結構與實際控制器模塊，為用戶提供性價比更好的模塊化產品。
二、YXPHM-GaNHB01氮化鎵半橋模塊
作為第三代寬禁帶半導體器件，氮化鎵（GaN）正在為電力工程行業(yè)帶來變革，它實現(xiàn)了以往硅 MOSFET 從未達到的高速度、高效率和更高功率密度。GaN 固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN 不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節(jié)點振鈴和 EMI。
寬禁帶半導體器件正迅速替代硅基半導體器件以在變流驅動中實現(xiàn)更高的效率。GaN（氮化鎵）技術與其它寬禁帶技術相比成本較低，因此 GaN（氮化鎵）技術將主要用于 400V電源總線中，而 SiC（碳化硅）通常用于更高功率的高壓800V電源總線。
YXPHM-GaNHB01半橋模塊拓撲
上圖主電路拓撲為電路拓撲架構，功率GaN開關器件采用VisIC公司的V22TC65S1A功率管。表1為其主要參數(shù)。
YXPHM-GaNHB01半橋模塊參數(shù)：
三、YXPHM-GaNHB01 實測數(shù)據(jù)圖
微信公眾號
